6 月 3 日消息，綜合臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)灣地區(qū)內(nèi)存企業(yè)南亞科技正在 AI DRAM 加速布局，力爭(zhēng)在三大原廠全力爭(zhēng)奪 HBM 市場(chǎng)的環(huán)境下從定制領(lǐng)域分得一杯羹。
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南亞科技總經(jīng)理李培瑛表示，AI 應(yīng)用內(nèi)存的四大關(guān)鍵元素分別是高密度先進(jìn) DRAM、3D TSV 硅通孔工藝與多芯片封裝、HBM 設(shè)計(jì)能力、邏輯 Base Die（IT之家注：基礎(chǔ)裸晶）。
南亞科技目前已完成高密度先進(jìn) DRAM 技術(shù)部署，正同伙伴補(bǔ)丁科技、福懋科技一道推進(jìn) TSV 和封裝，HBM 設(shè)計(jì)和邏輯制程 Base Die 則將以戰(zhàn)略性投資與合作形式實(shí)現(xiàn)。其定制化 DRAM 項(xiàng)目預(yù)計(jì)最快可在 2026 年取得驗(yàn)證，2026 年底至 2027 年貢獻(xiàn)業(yè)績(jī)。
對(duì)于當(dāng)前市場(chǎng)環(huán)境，由于三大內(nèi)存原廠減產(chǎn)停產(chǎn) DDR3、DDR4，南亞科技正承接轉(zhuǎn)單需求。而在市場(chǎng)提前備貨的趨勢(shì)下，南亞科技有望在三季度清理完畢庫(kù)存，四季度力拼扭虧為盈。